Deskripsi

Kirim permintaan

Didesain sebagai alternatif-ramah lingkungan dibandingkan perak kadmium oksida (AgCdO), chip kontak AgCuO menghadirkan keandalan listrik yang tinggi di seluruh aplikasi peralihan yang menuntut. Diproduksi melalui metalurgi serbuk dan proses oksidasi internal, komponen ini menampilkan partikel oksida tembaga halus yang tersebar secara merata dalam matriks perak murni. Struktur mikro ini mencegah lengketnya kontak, mengurangi perpindahan material selama busur listrik, dan sepenuhnya mematuhi peraturan lingkungan global RoHS dan REACH.

Formulasi & Nilai Bahan

AgCuO8 (8% CuO, Keseimbangan Ag):Konduktivitas listrik tertinggi dan resistansi kontak awal terendah. Paling cocok untuk konduksi arus-tinggi secara terus-menerus dengan kenaikan suhu minimal.

AgCuO10 (10% CuO, Keseimbangan Ag):Formulasi standar yang seimbang menawarkan ketahanan erosi busur yang tinggi dan stabilitas termal di seluruh siklus peralihan industri tugas menengah.

AgCuO12 (12% CuO, Keseimbangan Ag):Ketahanan maksimum terhadap pengelasan kontak dan erosi material di bawah tegangan peralihan yang parah dan kondisi arus masuk yang tinggi.

Keunggulan Kinerja Utama

Anti-Kinerja Pengelasan:Fase oksida terdispersi mengganggu penghubung perak cair selama-arus busur tinggi, mencegah kejang kontak-kondisi hubungan pendek.

Erosi Busur Terkendali:Distribusi partikel yang seragam menyebarkan tekanan termal, meminimalkan lubang lokal dan memperpanjang masa peralihan mekanis.

Kepatuhan Lingkungan:100% kadmium-komposisi bebas memenuhi standar lingkungan di seluruh dunia tanpa mengurangi kapasitas putus.

Manajemen Termal:Mempertahankan suhu pengoperasian yang rendah di bawah arus kontinu terukur, melindungi pegas aktuator internal dari degradasi panas.

Spesifikasi Teknik

Parameter	AgCuO8	AgCuO10	AgCuO12	Standar Pengujian
Konten CuO (%)	8.0%	10.0%	12.0%	Analisis Kimia
Kepadatan (g/cm³)	Lebih besar dari atau sama dengan 10.1	Lebih besar dari atau sama dengan 9,9	Lebih besar dari atau sama dengan 9,8	Metode Archimedes
Konduktivitas Listrik (MS/m)	Lebih besar dari atau sama dengan 48.0	Lebih besar dari atau sama dengan 42.0	Lebih besar dari atau sama dengan 38.0	Eddy Saat Ini
Kekerasan (HV)	75 - 105	85 - 120	95 - 130	Mikro-Vickers
Kekuatan Geser (Lapisan Bimetal)	Lebih besar dari atau sama dengan 180 MPa	Lebih besar dari atau sama dengan 180 MPa	Lebih besar dari atau sama dengan 180 MPa	ASTM B565
Ukuran Partikel CuO	Kurang dari atau sama dengan 3 um	Kurang dari atau sama dengan 3 um	Kurang dari atau sama dengan 3 um	Metalografi
Toleransi Dimensi (P x L)	+/- 0.05mm	+/- 0.05mm	+/- 0.05mm	Mikrometer Optik
Toleransi Ketebalan	+/- 0.03mm	+/- 0.03mm	+/- 0.03mm	Blok Pengukur

Bentuk & Geometri Struktural

Keripik Datar Monometal Padat:Panjang: 2.0 - 25.0 mm|Lebar: 2.0 - 20.0 mm|Ketebalan: 0.5 - 4.0 mm. Cocok untuk resistansi standar atau pematrian induksi pada terminal kuningan dan tembaga.

Chip Teratas Profil Radius:Radius Bola: R 5.0 - R 50,0 mm. Menjamin keselarasan kontak yang ditentukan berdasarkan toleransi aktuasi mekanis.

Bimetal Tri-Lapisan Chip:Lapisan AgCuO fungsional teratas (ketebalan 30%–70%) diikat ke lapisan substrat tembaga murni untuk pematrian yang efisien dan kandungan logam mulia yang lebih rendah.

Aplikasi Industri

Pemutus Sirkuit Kotak Cetakan (MCCB):Elemen kontak utama diberi nilai untuk tugas perlindungan sirkuit 63A hingga 800A.

Kontaktor AC:Komponen peralihan daya dirancang untuk kategori peralihan motor AC-3 dan AC-4.

Pemutus Sirkuit Miniatur (MCB):Kontak-tahan busur untuk modul interupsi arus komersial dan industri.

Relai Daya-Tugas Berat:Relai kontrol beroperasi pada siklus peralihan beban kapasitif atau induktif yang tinggi.

Kustomisasi & Pemrosesan Sekunder

Rasio Kedalaman Lapisan:Lapisan fungsional AgCuO dapat disesuaikan dari 0,3 mm hingga 2,5 mm; dukungan tembaga dapat disesuaikan dari 0,2 mm hingga 2,0 mm.

Lapisan Pemateri Bagian Belakang:Tersedia dengan lapisan perak murni (2 - 10 um), lapisan tembaga, atau pelapis paduan mematri perak pra-fluks (Ag-Cu-Zn-Sn).

Fitur Lokasi Permukaan:Kerataan dikontrol dalam 0,015 mm; opsional untuk menemukan lesung pipit,-alur silang, atau tab penyelarasan untuk penentuan posisi-dan-tempat otomatis.

Modifikasi Aditif:Penyertaan oksida sekunder (In2O3, WO3, atau Bi2O3 dengan berat 0,1%–0,5%) untuk menyempurnakan pergerakan busur dan perilaku resistensi kontak.

Jaminan Mutu & Verifikasi

Analisis Struktur Mikro:Metalografi penampang melintang memastikan distribusi partikel oksida, homogenitas matriks, dan integritas ikatan antar muka.

Verifikasi Elemen & Kepadatan:X-Ray Fluorescence (XRF) memeriksa rasio-terhadap-tembaga secara tepat; pengujian kepadatan hidro-menjamin kualitas pemadatan.

Pengujian Ikatan Mekanis:Grafik kekerasan mikro-Vickers dan pengujian geser destruktif menjamin kekuatan lapisan bimetal.

Inspeksi Optik Otomatis (AOI):Penyaringan sistem penglihatan 100% mendeteksi gerinda tepi (<= 0.02 mm), dimensional variances, and surface defects.

Pengemasan & Logistik

Tas Penghalang Tertutup Vakum:Bersihkan-ruangan yang dikemas dalam kantong polietilen tertutup vakum-dengan bahan pengering untuk mencegah oksidasi di atmosfer.

Kemasan Pakan Tape & Reel:Gulungan pita pembawa antistatis opsional yang sesuai dengan-jalur perakitan otomatis berkecepatan tinggi.

Pelabelan Ketertelusuran:Setiap paket menampilkan data batch berkode bar yang terkait dengan nomor panas bahan mentah, log proses sintering, dan sertifikat inspeksi.

Pertanyaan yang Sering Diajukan

T: Apa perbedaan fungsi AgCuO8 dengan AgCuO12?

J: AgCuO8 memiliki konduktivitas listrik yang lebih tinggi ( Lebih besar dari atau sama dengan 48 MS/m), sehingga ideal untuk aplikasi arus kontinu dengan kenaikan suhu rendah dan terus menerus. AgCuO12 mengandung lebih banyak kandungan oksida, menawarkan ketahanan maksimum terhadap erosi busur dan pengelasan kontak di bawah peralihan beban induktif yang berat.

T: Dapatkah AgCuO langsung menggantikan AgCdO pada desain sakelar yang ada?

J: Ya, AgCuO berfungsi sebagai alternatif fungsional langsung terhadap AgCdO di sebagian besar-perangkat peralihan tegangan rendah. Verifikasi kenaikan suhu direkomendasikan selama kualifikasi prototipe awal karena sedikit variasi dalam karakteristik pembuangan panas.

T: Bagaimana integritas ikatan bimetal dipastikan?

J: Lapisan substrat disatukan melalui ko-ekstrusi panas atau ikatan difusi-keadaan padat dalam atmosfer yang terkendali. Setiap lot produksi menjalani pengujian geser untuk memverifikasi kekuatan ikatan antar muka di atas 180 MPa.

T: Opsi persiapan bagian belakang apa saja yang tersedia untuk pematrian otomatis?

J: Chip dapat dilengkapi dengan lapisan perak murni, lapisan tembaga, atau lapisan paduan pematrian yang telah diterapkan sebelumnya, sehingga memungkinkan integrasi yang lancar dengan proses ketahanan, induksi, atau pematrian tungku.

Tag populer: chip kontak oksida tembaga perak, produsen chip kontak oksida tembaga perak, pemasok, Bahan kontak listrik, Kontak relai latching magnetik, Kontak senyawa paku keling